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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQN1N60CTA 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V40005+￥1.871125+￥1.732550+￥1.6355100+￥1.5939500+￥1.56622500+￥1.53155000+￥1.517710000+￥1.4969 -
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品类: MOS管描述: 小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS3009 -
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品类: MOS管描述: 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管757220+￥0.098650+￥0.0913100+￥0.0876300+￥0.0847500+￥0.08251000+￥0.08105000+￥0.079610000+￥0.0781 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5928
